RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Comparar
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Pontuação geral
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
44
Por volta de -63% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.9
12.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.5
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
44
27
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
17.9
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
13.5
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1977
3396
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Comparações de RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18KSF51272PZ-1G4K1 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6AFR8A
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link