RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Comparar
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Pontuação geral
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
44
Por volta de -57% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.2
12.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.3
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
44
28
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
18.2
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
14.3
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1977
3663
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Comparações de RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link