RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Comparar
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Pontuação geral
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
44
Por volta de -47% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.6
12.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.5
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
44
30
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
17.6
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
15.5
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1977
3564
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Comparações de RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Samsung M378B5173CB0-CK0 4GB
Samsung M378B5173DB0-CK0 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link