RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Comparar
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Pontuação geral
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
21
44
Por volta de -110% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.6
12.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
20.0
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
44
21
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
20.6
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
20.0
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1977
4170
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Comparações de RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston 9965662-009.A00G 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link