RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
Comparar
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Kingston 9905624-009.A00G 8GB
Pontuação geral
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Pontuação geral
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
44
Por volta de -29% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.8
12.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.0
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
44
34
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
13.8
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
10.0
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1977
2377
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Comparações de RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905624-009.A00G 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link