RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Comparar
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Pontuação geral
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
44
Por volta de -33% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.7
12.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.8
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
44
33
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
14.7
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
8.8
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1977
2498
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Comparações de RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
INTENSO 5641162 8GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link