RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Comparar
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Pontuação geral
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Pontuação geral
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.3
12
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
44
Por volta de -57% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.1
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
44
28
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
12.0
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
9.1
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1977
2347
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Comparações de RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB Comparações de RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Essencore Limited IM4AGS88N24-FFFHA0 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
INTENSO 5641152 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link