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SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
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SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Pontuação geral
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Pontuação geral
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
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Razões a considerar
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
39
44
Por volta de -13% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.1
12.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.6
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
12800
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
44
39
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
15.1
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
12.6
Largura de banda de memória, mbps
12800
25600
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1977
3000
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Comparações de RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
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