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SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
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SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Pontuação geral
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Pontuação geral
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
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Razões a considerar
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
44
Por volta de -33% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15
12.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.5
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
44
33
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
15.0
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
8.5
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1977
2524
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Comparações de RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB Comparações de RAM
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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