RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Comparar
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Pontuação geral
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
42
54
Por volta de 22% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.8
9.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.0
7.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
14900
Por volta de 1.14 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
42
54
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
9.3
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
7.3
Largura de banda de memória, mbps
14900
17000
Other
Descrição
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2269
1904
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB Comparações de RAM
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB Comparações de RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Samsung M386B4G70DM0-YK04 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link