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SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Comparar
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Pontuação geral
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Pontuação geral
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
16.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
19
65
Por volta de -242% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.9
1,711.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
65
19
Velocidade de leitura, GB/s
4,018.7
16.4
Velocidade de escrita, GB/s
1,711.1
14.9
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 14 16 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
513
3521
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB Comparações de RAM
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
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