RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Comparar
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB vs Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Pontuação geral
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Pontuação geral
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
17.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
65
Por volta de -117% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.8
1,711.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
65
30
Velocidade de leitura, GB/s
4,018.7
17.8
Velocidade de escrita, GB/s
1,711.1
14.8
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
513
3458
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB Comparações de RAM
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
Micron Technology 16JTF51264AZ-1G4M1 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
INTENSO M418039 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link