RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Comparar
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB vs EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Pontuação geral
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Pontuação geral
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
17.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
65
Por volta de -110% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.9
1,711.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
65
31
Velocidade de leitura, GB/s
4,018.7
17.1
Velocidade de escrita, GB/s
1,711.1
12.9
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
513
3409
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB Comparações de RAM
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9905734-003.A00G 32GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link