RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Comparar
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Pontuação geral
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
14.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
36
65
Por volta de -81% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.7
1,711.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
65
36
Velocidade de leitura, GB/s
4,018.7
14.2
Velocidade de escrita, GB/s
1,711.1
10.7
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
513
2474
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB Comparações de RAM
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB Comparações de RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link