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SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Comparar
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB vs Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Pontuação geral
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Pontuação geral
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
14.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
65
Por volta de -160% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.7
1,711.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
65
25
Velocidade de leitura, GB/s
4,018.7
14.5
Velocidade de escrita, GB/s
1,711.1
10.7
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
513
2620
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB Comparações de RAM
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
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Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
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