SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB vs Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB

Pontuação geral

SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB

SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB

Pontuação geral

Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB

Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB

Diferenças Especificações Comentários

Diferenças

SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB

Razões a considerar
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB

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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

4 15.3

Valor médio nos testes

Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB

Razões a considerar
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB

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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

50 65

Por volta de -30% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

10.9 1,711.1

Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps

25600 6400

Por volta de 4 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas

SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB

Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB

Características principais

Tipo de memória

DDR2 DDR4
Latência em PassMark, ns

65 50
Velocidade de leitura, GB/s

4,018.7 15.3
Velocidade de escrita, GB/s

1,711.1 10.9
Largura de banda de memória, mbps

6400 25600

Other

Descrição

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio

5-5-5-15 / 800 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

513 2512

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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