RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Comparar
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB vs Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Pontuação geral
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Pontuação geral
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
17
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
64
65
Por volta de -2% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.8
1,711.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
65
64
Velocidade de leitura, GB/s
4,018.7
17.0
Velocidade de escrita, GB/s
1,711.1
8.8
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
513
2103
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB Comparações de RAM
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link