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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Comparar
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Pontuação geral
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Pontuação geral
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
18.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,978.2
14.0
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
21
66
Por volta de -214% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
66
21
Velocidade de leitura, GB/s
2,929.1
18.6
Velocidade de escrita, GB/s
2,978.2
14.0
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
511
3356
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Comparações de RAM
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB Comparações de RAM
Kingston KF560C40-16 16GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
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