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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Pontuação geral
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
18.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,978.2
14.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
66
Por volta de -200% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
66
22
Velocidade de leitura, GB/s
2,929.1
18.5
Velocidade de escrita, GB/s
2,978.2
14.2
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
511
3392
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Comparações de RAM
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
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