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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Comparar
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Pontuação geral
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Pontuação geral
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
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Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,978.2
10.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
52
66
Por volta de -27% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.5
2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
66
52
Velocidade de leitura, GB/s
2,929.1
20.5
Velocidade de escrita, GB/s
2,978.2
10.1
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
511
2472
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Comparações de RAM
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX2400C15/8G 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
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