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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Pontuação geral
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
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Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
37
66
Por volta de -78% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
9.5
2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.7
2,978.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
66
37
Velocidade de leitura, GB/s
2,929.1
9.5
Velocidade de escrita, GB/s
2,978.2
7.7
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
511
1949
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Comparações de RAM
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB Comparações de RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
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