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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Pontuação geral
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Pontuação geral
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
15.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
66
Por volta de -89% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.2
2,978.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
6400
Por volta de 4 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
66
35
Velocidade de leitura, GB/s
2,929.1
15.1
Velocidade de escrita, GB/s
2,978.2
9.2
Largura de banda de memória, mbps
6400
25600
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
511
2488
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Comparações de RAM
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
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Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
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