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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Comparar
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Pontuação geral
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Pontuação geral
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
17.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
64
66
Por volta de -3% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.3
2,978.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
66
64
Velocidade de leitura, GB/s
2,929.1
17.5
Velocidade de escrita, GB/s
2,978.2
9.3
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
511
2205
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Comparações de RAM
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
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