RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Comparar
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Pontuação geral
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Pontuação geral
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
66
74
Por volta de 11% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
13.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.7
2,978.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
66
74
Velocidade de leitura, GB/s
2,929.1
13.6
Velocidade de escrita, GB/s
2,978.2
7.7
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
511
1616
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Comparações de RAM
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Ramaxel Technology RMUA5090KB78HAF2133 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMR128GX4M8X3800C19 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link