RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Comparar
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Pontuação geral
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Pontuação geral
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
16.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,076.1
13.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
59
Por volta de -103% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
59
29
Velocidade de leitura, GB/s
4,723.5
16.9
Velocidade de escrita, GB/s
2,076.1
13.8
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
741
3285
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Comparações de RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link