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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Comparar
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Pontuação geral
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
15.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,076.1
13.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
59
Por volta de -90% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
59
31
Velocidade de leitura, GB/s
4,723.5
15.2
Velocidade de escrita, GB/s
2,076.1
13.2
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
741
3217
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
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Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
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Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
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