RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Comparar
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Pontuação geral
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
14.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,076.1
10.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
38
59
Por volta de -55% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
59
38
Velocidade de leitura, GB/s
4,723.5
14.5
Velocidade de escrita, GB/s
2,076.1
10.5
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
741
2659
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Comparações de RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB Comparações de RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Avant Technology J642GU42J9266N4 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMD64GX4M4A2666C15 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link