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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Pontuação geral
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Pontuação geral
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
13.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
59
Por volta de -111% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
5.8
2,076.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
59
28
Velocidade de leitura, GB/s
4,723.5
13.2
Velocidade de escrita, GB/s
2,076.1
5.8
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
741
1699
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Comparações de RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
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Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
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Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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