RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Comparar
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Pontuação geral
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
18.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,076.1
14.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
59
Por volta de -103% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
59
29
Velocidade de leitura, GB/s
4,723.5
18.5
Velocidade de escrita, GB/s
2,076.1
14.6
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
741
3313
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Comparações de RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB Comparações de RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kllisre 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link