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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Pontuação geral
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
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Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
40
59
Por volta de -48% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
9.1
4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
6.9
2,076.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
59
40
Velocidade de leitura, GB/s
4,723.5
9.1
Velocidade de escrita, GB/s
2,076.1
6.9
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, TBD1 V tolerant, TBD2 V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
741
2031
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Comparações de RAM
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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
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