RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Comparar
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Pontuação geral
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Pontuação geral
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
59
94
Por volta de 37% menor latência
Razões a considerar
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
5.6
4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
4.9
2,076.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
59
94
Velocidade de leitura, GB/s
4,723.5
5.6
Velocidade de escrita, GB/s
2,076.1
4.9
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
741
1334
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Comparações de RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link