RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Comparar
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Pontuação geral
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Pontuação geral
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
15.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
59
Por volta de -69% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.2
2,076.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
6400
Por volta de 4 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
59
35
Velocidade de leitura, GB/s
4,723.5
15.1
Velocidade de escrita, GB/s
2,076.1
9.2
Largura de banda de memória, mbps
6400
25600
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
741
2488
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Comparações de RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Kingston ACR16D3LU1KFG/4G 4GB
Kingston 99U5402-034.A00LF 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link