RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Comparar
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Pontuação geral
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Pontuação geral
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
15.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,076.1
11.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
36
59
Por volta de -64% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
59
36
Velocidade de leitura, GB/s
4,723.5
15.3
Velocidade de escrita, GB/s
2,076.1
11.9
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
741
2981
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Comparações de RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link