RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Comparar
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Pontuação geral
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Pontuação geral
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
59
76
Por volta de 22% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
10.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
6.9
2,076.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
59
76
Velocidade de leitura, GB/s
4,723.5
10.3
Velocidade de escrita, GB/s
2,076.1
6.9
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
741
1260
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Comparações de RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB Comparações de RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link