RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Comparar
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Pontuação geral
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Pontuação geral
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
59
76
Por volta de 22% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
10.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
6.9
2,076.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
59
76
Velocidade de leitura, GB/s
4,723.5
10.3
Velocidade de escrita, GB/s
2,076.1
6.9
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
741
1260
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Comparações de RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB Comparações de RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 7200LL Series 2GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link