RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Comparar
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Pontuação geral
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Pontuação geral
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
18.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
58
59
Por volta de -2% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.5
2,076.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
59
58
Velocidade de leitura, GB/s
4,723.5
18.5
Velocidade de escrita, GB/s
2,076.1
9.5
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
741
1998
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Comparações de RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CM4X8GF2133C13K4 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Crucial Technology CT51264BA160BJ.M8F 4GB
AMD R334G1339U2S 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link