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SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Comparar
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB vs Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Pontuação geral
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Pontuação geral
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
17.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
62
Por volta de -138% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.7
1,658.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
5300
Por volta de 3.62 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
62
26
Velocidade de leitura, GB/s
4,216.7
17.4
Velocidade de escrita, GB/s
1,658.4
11.7
Largura de banda de memória, mbps
5300
19200
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
688
2806
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB Comparações de RAM
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Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
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