RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Comparar
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Pontuação geral
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Pontuação geral
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8,883.4
13.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
44
Por volta de -42% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.7
14
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
5300
Por volta de 4.02 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
44
31
Velocidade de leitura, GB/s
14,740.4
16.7
Velocidade de escrita, GB/s
8,883.4
13.9
Largura de banda de memória, mbps
5300
21300
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2811
3168
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link