RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Comparar
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Pontuação geral
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Pontuação geral
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8,883.4
16.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
18
44
Por volta de -144% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.9
14
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
44
18
Velocidade de leitura, GB/s
14,740.4
20.9
Velocidade de escrita, GB/s
8,883.4
16.6
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2811
3601
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link