RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Comparar
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Pontuação geral
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8,883.4
11.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
44
Por volta de -42% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.9
14
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
5300
Por volta de 4.02 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
44
31
Velocidade de leitura, GB/s
14,740.4
14.9
Velocidade de escrita, GB/s
8,883.4
11.4
Largura de banda de memória, mbps
5300
21300
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2811
2330
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB Comparações de RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 99U5594-003.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link