RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
Comparar
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
Pontuação geral
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8,883.4
14.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
21
44
Por volta de -110% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.6
14
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
44
21
Velocidade de leitura, GB/s
14,740.4
18.6
Velocidade de escrita, GB/s
8,883.4
14.1
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2811
3062
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C2GFP.C700B 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link