RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Comparar
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Pontuação geral
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8,883.4
13.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
44
Por volta de -52% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.7
14
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
44
29
Velocidade de leitura, GB/s
14,740.4
17.7
Velocidade de escrita, GB/s
8,883.4
13.8
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2811
3401
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link