RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Comparar
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Pontuação geral
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
44
60
Por volta de 27% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8,883.4
2.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
7.8
14
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
44
60
Velocidade de leitura, GB/s
14,740.4
7.8
Velocidade de escrita, GB/s
8,883.4
2.8
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2811
1505
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB Comparações de RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston 9905630-048.A00G 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905678-102.A00G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link