RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Comparar
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Pontuação geral
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Pontuação geral
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14
11.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8,883.4
7.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
44
Por volta de -29% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
5300
Por volta de 3.62 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
44
34
Velocidade de leitura, GB/s
14,740.4
11.2
Velocidade de escrita, GB/s
8,883.4
7.6
Largura de banda de memória, mbps
5300
19200
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2811
2245
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link