RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Comparar
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Pontuação geral
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Pontuação geral
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8,883.4
12.0
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
44
Por volta de -38% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.9
14
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
5300
Por volta de 4.02 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
44
32
Velocidade de leitura, GB/s
14,740.4
15.9
Velocidade de escrita, GB/s
8,883.4
12.0
Largura de banda de memória, mbps
5300
21300
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2811
2952
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905702-071.A00G 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link