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SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Comparar
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Pontuação geral
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Pontuação geral
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14
11.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8,883.4
11.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
43
44
Por volta de -2% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
5300
Por volta de 4.83 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
44
43
Velocidade de leitura, GB/s
14,740.4
11.6
Velocidade de escrita, GB/s
8,883.4
11.2
Largura de banda de memória, mbps
5300
25600
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2811
2615
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
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Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
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