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SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
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SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Pontuação geral
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Pontuação geral
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
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Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8,883.4
16.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
18
44
Por volta de -144% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.5
14
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
5300
Por volta de 3.62 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
44
18
Velocidade de leitura, GB/s
14,740.4
20.5
Velocidade de escrita, GB/s
8,883.4
16.2
Largura de banda de memória, mbps
5300
19200
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2811
3564
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
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