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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB vs G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Pontuação geral
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
15.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
72
117
Por volta de -63% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.3
2,303.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
117
72
Velocidade de leitura, GB/s
3,094.8
15.8
Velocidade de escrita, GB/s
2,303.7
8.3
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
784
1951
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AW 2GB
Kingston 9905315-124.A00LF 1GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
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Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
CompuStocx (CSX) Compustocx (CSX) 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
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