RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Comparar
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB vs G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Pontuação geral
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
17.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,303.7
13.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
117
Por volta de -303% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
5300
Por volta de 3.62 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
117
29
Velocidade de leitura, GB/s
3,094.8
17.2
Velocidade de escrita, GB/s
2,303.7
13.4
Largura de banda de memória, mbps
5300
19200
Other
Descrição
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
784
3199
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AW 2GB
Kingston 9905315-124.A00LF 1GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB Comparações de RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Relatar um erro
×
Bug description
Source link