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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB vs Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Pontuação geral
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Pontuação geral
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
15.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,303.7
11.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
117
Por volta de -318% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
117
28
Velocidade de leitura, GB/s
3,094.8
15.3
Velocidade de escrita, GB/s
2,303.7
11.6
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
784
2648
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AW 2GB
Kingston 9905315-124.A00LF 1GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB Comparações de RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
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Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
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Kingmax Semiconductor KLCD48F-A8KI5 1GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
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