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SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Comparar
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Pontuação geral
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Pontuação geral
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
15.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
68
Por volta de -94% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.6
1,670.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
5300
Por volta de 4.83 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
68
35
Velocidade de leitura, GB/s
3,554.9
15.1
Velocidade de escrita, GB/s
1,670.7
9.6
Largura de banda de memória, mbps
5300
25600
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
513
2502
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB Comparações de RAM
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
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G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
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